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有机硅氧烷水解行为的荧光探针法监测

2017-12-05 类型:新闻资讯
紫外光辐照有机硅氧烷水解行为的荧光探针法监测

紫外光辐照有机硅氧烷水解行为的荧光探针法监测

有机修饰硅氧烷在有机一无机杂化材料合成领域应用广泛。有机硅氧烷作为前驱体发生水解一缩合反应所制备的杂化材料,其结构中兼具无机部分与有机部分,因此该类材料表现出有机与无机材料的双重特性。在传统制备方法中,通过调控温度、酸碱度、催化剂等反应条件,可实现对反应速率及产物结构的调控。

研究发现,紫外

光辐照所产生的羟基自由基可以促进Si—OCH。水解及改变si—O—Si键结合形态。受此研究启发,我们认为,紫外光辐照对有机硅氧烷水解可能具有。甲基丙烯酸丙酯三甲氧基硅烷(MAPTMS)及辛基三甲氧基硅烷(OT—MS)具有较强的疏水取代基,丙基三甲氧基硅烷(PTMS)则取代基疏水性较弱。

在给定时间,分别移取1.5 mL光辐照及非辐照溶液至石英比色皿,以340 nm波长激发检测样,获得相应荧光光谱。利用类似方法检测前驱体为MAPTMS和PTMS水解缩合反应体系。鉴于紫外光有可能会对荧光探针本身造成影响,在本实验开始之前,对紫外光辐照探针芘进行了检测。实验发现,紫外光强度为2 mW/cm 时,不会对芘的荧光光谱造成影响。


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